红外光谱分析法在硅中氧碳含量测量上的运用

　　单晶硅原材料能够用作生产制造太阳能电池板、集成电路工艺等，因为其主要用途的多样性规定其纯净度超过99.9999% 乃至更高。在单晶硅加工过程中由原材料及方式 等要素在所难免的导入了碳、氧等残渣，危害了单晶硅的特性。因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。

　　依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。

　　1、采用硅中氧碳含量测试软件依次进行如下操作：背景扫描→输入参比厚度→扫描参比样品→输入样品厚度→扫描样品→记录数据;

　　2、重复样品扫描2次并记录数据，得到如下图所示结果。

　　3、测试数据

　　这也就证明了氧碳含量测试工具能够便捷、迅速的对单晶硅原材料中的代位氧原子、空隙氧原子开展定量分析测量。